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SBD MOS 적용을 위한 6 인치 Dia 150 밀리미터 350 um 두께 4H 앤형 SiC 기판2023-07-19 17:30:27 |
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4H-N 타입 반 절연 SiC 기판 2는 3 인치 4 인치 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다2023-07-19 17:31:12 |
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2인치 SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N형 MOS 장치 디아 0.4mm2024-12-05 15:52:17 |
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시크 저항 성장 크리스탈 오븐 고온 난방 잉크 6 인치 8 인치 12 인치2025-04-14 17:40:13 |
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6H-N 4H-N SiC 기판 2는 0.33 밀리미터 0.43 밀리미터 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다2022-10-28 09:37:06 |
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주문 제작된 4H-N 타입 반 절연성 탄화규소 기판 4는 6 인치 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다2023-07-14 15:57:44 |
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고주파용 장치를 위한 8 인치 6 인치 4H-N 타입 SiC 기판 웨이퍼 생산 등급2023-05-06 10:49:39 |
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2Inch 탄화규소는 6H 또는 4H n형 또는 SiC 기판을 반 절연하는 것 웨이퍼로 만듭니다2023-06-16 11:53:03 |
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고온 고전압 전력 장치 태양광 발전을 위한 맞춘 도전형 SIC 웨이퍼2023-06-16 16:30:58 |
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2 인치 4 인치 6 인치 8Inch 탄화 규소 웨이퍼 SIC 웨이퍼 가상 조사 중요한 등급2024-09-13 15:00:39 |
